PECVD管式爐簡介
PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng);借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn);
PECVD管式爐系統(tǒng)通過滑動(dòng)爐體來實(shí)現(xiàn)快速的升降溫，配置不同的真空系統(tǒng)來達(dá)到理想的真空度;同時(shí)通過多路高精度質(zhì)量流量計(jì)控制不同氣體。
PECVD管式爐是實(shí)驗(yàn)室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的理想選擇。
PECVD管式爐主要用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。
PECVD管式爐特點(diǎn)
1.高薄膜沉積速率：RF輝光技術(shù)，大大提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)10?/S;
2、面積均勻度高：先進(jìn)的多點(diǎn)射頻送料技術(shù)、特殊的氣路分布及加熱技術(shù)等，使薄膜均勻度指標(biāo)達(dá)到8%;
3、一致性高：采用半導(dǎo)體行業(yè)先進(jìn)的設(shè)計(jì)理念，一次沉積的基板之間偏差小于2%;
4、工藝穩(wěn)定性高：設(shè)備穩(wěn)定性高，保證工藝連續(xù)穩(wěn)定;
PECVD管式爐技術(shù)參數(shù)
最高工作溫度：1200 oC
長期工作溫度：≤1100℃
熱電偶：K型
加熱元件：HRE電阻絲
極限真空度：1Pa
流量計(jì)：三路質(zhì)子流量計(jì)，雙卡套不銹鋼接頭，316L耐腐蝕材料